Меню

С повышением температуры ток p n перехода

Влияние температуры на вах p-n-перехода

Вольтамперные характеристики p-n-перехода для двух значений температуры окружающей среды приведены на рис. 2.6. С ростом температуры падает прямое напряжение на p-n-переходе при заданном токе и растет обратный ток при заданном напряжении. Прямой ток p-n-перехода определяется ПОНЗ, который зависит от величины потенциального барьера в p-n-переходе. Увеличение температуры приводит к уменьшению потенциального барьера, а следовательно, к увеличению прямого тока.Обратный ток p-n-перехода определяется ПННЗ. Увеличение температуры приводит к увеличению скорости тепловой генерации, концентрация неосновных носителей заряда в полупроводнике растет, а следовательно, растет обратный ток.

Для количественной оценки влияния температуры на ВАХ p-n-перехода используют два параметра.

Температурный коэффициент напряжения (ТКН) показывает, на сколько изменится прямое напряжение на p-n-переходе (U) при заданном изменении температуры Т при постоянном токе через p-n-переход:

.

Для германиевых p-n-переходов ТКН  -2 мВ/град, для кремниевых p-n-пе-реходов ТКН  -3 мВ/град.

Температура удвоения обратного тока p-n перехода Т * позволяет рассчитать обратный ток iОБР + Т) при возрастании температуры на Т по известному значению обратного тока при заданной температуре Т.

Для германиевых p-n-переходов обратный ток удваивается на каждые 10C (Т* = 10C) , для кремниевых — Т* = 8C.

Подвижность носителей заряда в полупроводниках.

Развитие технологии изготовления полупроводниковых приборов.

Базовые элементы логических микросхем разных типов.

. Базовые логические элементы

Всякая микросхема, реализующая сложную логическую функцию, по существу, представляет совокупность элементов И-НЕ или ИЛИ-НЕ. Для всех микросхем серии элемент И-НЕ (ИЛИ-НЕ) является базовым.

Базовый ТТЛ-элемент И-НЕ. В этом элементе обе логические операции (И и НЕ) осуществляются транзисторами, чем определяется название типа логики: транзисторно-транзисторная.

Конъюнктор элемента (рис. 2.4,а) выпол-нен на многоэмиттерном транзисторе (МЭТ) VT1, который легко реализуется методами интегральной технологии. Его база через резистор Rб соединена с положительным зажимом источника питания Еп, эмиттеры являются входами элемента, а в цепь коллектора включен эмиттерно-базовый переход транзистора VT2. Потенциал базы VT1 выше

потенциала коллектора, поэтому коллекторный переход VT1 отперт. Режим эмиттерного перехода зависит от ситуации на входах элемента. Если хотя бы на одном входе присутствует низкий потенциал логического 0 (например, x1=0), то потенциал эмиттера uэ меньше потенциала базы uб – эмиттерный переход отперт. Таким образом, оба перехода VT1 открыты, и он насыщен. При этом практически весь ток базы проходит в цепь эмиттера, а напряжение uк1 на коллекторе составляет доли вольта. Если же на всех вхо-дах элемента высокий потенциал U1 логической 1 (x1=x2=x3=1), то uэ>uб – эмиттерный переход заперт и ток базы VT1 переключает-ся в цепь коллектора, напряжение uк1 на котором составляет теперь около 2 В.

Инвертор рассматриваемого элемента называют сложным. Он должен обеспечить элементу большую нагрузочную способность, т. е. обладать незначительным выходным сопротивлением. Напомним, что выходное сопротивление простого транзисторного ин-вертора (рис.2.3) зависит от его режима. Когда транзистор насыщен, на коллекторе низкий уровень логического 0 и Rвых весьма мало: оно равно сопротивлению rнас насыщенного транзистора. Если транзистор заперт, на его коллекторе высокий u1087 потенциал, а Rвых ≈Rк. Чтобы Rвых рассматриваемого элемента было незначительно при обоих уровнях потенциала на выходе, к последнему подключены две цепи: первая из них содержит транзистор VT4, а вторая – транзистор VT3 и диод VD1. Когда заперт VT3 и насы-щен VT4, на выходе низкий потенциал (логический 0), а Rвых= rнас. Когда заперт VT4 и открыт VT3, на выходе высокий потенциал (логическая 1); при этом каскад на транзисторе VT3 работает в активном режиме как эмиттерный повторитель (с малым Rвых), на-грузкой которого являются подключенные к выходу Rн и Сн. Резистор Rк3 имеет небольшое сопротивление, и в данном случае с его влиянием можно не считаться.

Рассмотрим, как осуществляется включение и выключение транзисторов VT3 и VT4. Ранее отмечалось, что если, к примеру, x1=0, то напряжение uк1 на коллекторе VT1 незначительно. В этом режиме оно меньше 0,6 В — напряжения, при котором появляется заметный ток в коллекторных цепях кремниевых транзисторов данной микросхемы. Поэтому транзистор VT2 практически заперт – его эмиттер имеет потенциал, близкий к нулю, а коллектор – высокий потенциал. В результате VT3 открыт, а VT4 заперт (uвых= U1, у=1). Таким образом, при логическом 0 на одном из входов (например, при x1=0) на выходе будет логическая 1 (y=1).

Ранее также было установлено, что если на всех входах элемента присутствует высокий потенциал (логическая 1), то эмиттерный переход VT1 заперт и ток базы поступает в его коллектор, т. е. в базу транзистора VT2. В результате VT2 насыщается, по сравне-нию с предыдущим режимом потенциал его эмиттера uЭ2 возрастает, а потенциал коллектора uК2 уменьшается до 1 В. Следствием увеличения uЭ2 является насыщение транзистора VT4 (uвых=U0 ≈0,2 В – логический 0). Таким образом, при x1=x2=x3=1 y=0. Сопос-тавляя это с режимом х1=0, y=1, приходим к выводу, что рассматриваемый элемент реализует логическую функцию И-НЕ.

В отсутствие диода VD1 на эмиттерно-базовый переход VT3 при uвых= U0 воздействовало бы напряжение uбэ3 = uк2-uвых =1- 0,2 = 0,8 В, в _________результате чего VT3 оказался бы отпертым. При наличии диода VD1 часть напряжения uк2 — uвых выделяется на нем, так что напряжение uБЭ3 становится меньше 0,6 В и VT3 оказывается практически запертым. Резистор Rк3 ограничивает начальный ток зарядки емкости нагрузки Сн, который проходит через транзистор VT3 при uвых=U1 и может оказаться значительным.

Читайте также:  Расчет активной мощности для переменного тока

Обратимся к цепи диода VD2, показанной на рис.2.4,а пунктиром. Он обеспечивает «третье состояние» выходов микросхемы.

Если потенциал его катода соответствует уровню логической 1 (u=U1), то диод заперт и схема работает так, как это описано ра-нее. При u=U0 диод отпирается, за счет чего запирается транзистор VT3, так как Uбэ ≈0. Кроме того, ток базы VT1 проходит в цепь эмиттера, имеющего низкий потенциал, благодаря чему запирается транзистор VT2 и, как следствие, транзистор VT4. Таким обра-зом, выход элемента оказывается отсоединенным от положительной клеммы источника питания и от “земли”, т. е. на нем не мо-жет появиться ни 1, ни 0 – вход последующего устройства не чувствует ни низкого, ни высокого логического потенциала и по-этому бездействует. Это равносильно отключению последующей части устройства от данного элемента, т. е. высокоомному (высо-коимпедансному, третьему) состоянию его выхода.

Если выходы используемых элементов обладают указанным свойством, то при работе на общую нагрузку они могут соединяться, но при условии, что элементы функционируют не одновременно. На рис. 2.4,б показан дополнительный атрибут обозначения эле-мента, выход которого может устанавливаться в высокоомное состояние.

К классу ТТЛ относятся, в частности, микросхемы серий 155, 133, 531, 1533 .

Базовый КМОП-элемент ИЛИ-НЕ. Рассматриваемый элемент реализован на полевых транзисторах класса металл—диэлектрик – полупроводник с индуцированными каналами p- и n-типов (на комплиментарных транзисторах). Как было сказано ранее, название элемента составлено из первых букв слов “комплиментарный”, “металл”, “окисел”, “полупроводник”.

Основу структуры такого элемента составляет ключ на КМОП-транзисторах. По существу КМОП-элемент (рис. 2.5) пред-ставляет собой делитель напряжения Еп источника питания. Одно плечо делителя составляют транзисторы VT1, VT2, VT3 (ком-мутирующие, или управляющие), другое – транзисторы VT4, VT5, VT6 (нагрузочные). В силу разной проводимости каналов тран-зисторов логический сигнал на входе запирает один из управляющих транзисторов и отпирает нагрузочный транзистор, или на-оборот. Когда на любой из входов (например, первый) подается высокий потенциал U1 (х1=1, x2=x3=0), то VT1 открывается и со-противление плеча, состоящего из управляющих транзисторов, уменьшается. Одновременно запирается транзистор VT4 и сопро-тивление плеча, состоящего из нагрузочных транзисторов, становится весьма значительным – большая часть напряжения Еп вы-деляется на нагрузочных транзисторах, и на выходе элемента – низкий потенциал U0 (у=0).

Только когда на всех входах присутствует низкий по-тенциал U0 (x1=x2=x3=0), управляющие транзисторы заперты, а нагрузочные – открыты. Поэтому падение напряжения на нагрузочных транзисторах мало, а на управляющих – вели-ко: на выходе высокий потенциал U1 (y=1). Таким образом, при xi=1 y=0; при x1=x2=x3=0 у=1, т.е. элемент реализует функцию ИЛИ-НЕ.

Логические КМОП-элементы имеют значительные дос-тоинства. В стационарных состояниях в цепи источника Еп находится запертый транзистор, так что потребляемая эле-ментом мощность незначительна; по существу, потребление энергии происходит при переключении элемента и возрастает с увеличением частоты переключении. Входное сопро-тивление полевого транзистора весьма велико. Поэтому эле-ментами на полевых транзисторах данный элемент мало на-гружается. При исполнении по интегральной технологии по-левой транзистор занимает на подложке меньшую площадь, чем биполярный.

Однако по сравнению с биполярным полевой транзистор является менее быстродействующим и имеет большее сопротивление u1074 в открытом состоянии, благодаря чему остаточное напряжение на нем сравнительно велико. В структурах, использующих комплиментарные полевые транзисторы, эти недостатки ослабляются: первый за счет того, что нагружающая выход емкость оказывается всегда подключенной к цепи, содержащей открытый транзистор (управляющий или нагрузочный), через который она может быст-ро перезаряжаться, а второй ослабляется регулируемой нагрузкой: малое напряжение на выходе обусловлено большим сопротив-лением запертого в это время нагрузочного транзистора.

К классу КМОП относятся, в частности, микросхемы серий 564, 561, 1561, 1554.

Базовый ЭСЛ-элемент ИЛИ / ИЛИ-НЕ. В этом элементе обе логические операции (ИЛИ, НЕ) выполняются эмиттерно-связанными транзисторами, чем и обусловлено название типа логики. Элемент имеет два выхода, на одном из которых фиксирует-ся результат операции ИЛИ, а на другом – операции ИЛИ-НЕ. Обозначают такой элемент ИЛИ ⁄ИЛИ-НЕ.

Основу структуры рассматриваемого элемента (рис.2.6) составляет переключатель тока. Он собран на входных VT1, VT2, VT3 и опорном VTоп транзисторах, эмиттеры которых связаны. Потенциал базы VTon относительно минусовой шины Еп имеет ста-бильное значение ЕБ, а относительно “земли” — значение UБоп= ЕБ-ЕП, которое лежит между уровнями входных сигналов: U0 7 / 7 7

Источник

Влияние температуры на ток р-n-переход

Напряжения на p-n-переходе

Сопротивления диода

Прямое напряжение на р-n-переходах

Контактная разность потенциалов

Примеры решения задач

Имеется сплавной германиевый p-n-переход с концентрацией

NД = 10 3 ∙Na, причем на каждые 108 атомов германия приходится один атом акцепторной примеси. Определить контактную разность потенциалов при температуре Т = 300 К (концентрации атомов N и ионизованных атомов ni принять равными ni = 4,4∙10 22 и 2,5∙10 13 см –3 соответственно).

Определим концентрацию акцепторных атомов

Na = N/10 8 = 4,4∙10 22 /10 8 = 4,4∙10 14 см –3 .

(N = 4,4 10 22 см –3 – концентрация атомов германия). Концентрация атомов доноров NД = 4,4 10 17 см –3 .

Контактная разность потенциалов

φк = kT/е ln(NaNД)/ni 2 = 0,0258 ln [(4,4∙10 17 ∙4,4∙10 14 )/(2,5∙10 13 ) 2 ] = 0,33 B.

Германиевый сплавной p-n-переход имеет обратный ток насыщения I = 1 мкА, а кремниевый с такими же размерами ток I = 10 –8 А.

Вычислить и сравнить прямые напряжения на переходах при Т = 293 К, если через каждый диод протекает прямой ток 100 мА.

Читайте также:  Переменный ток в отличие от постоянного изменяет закончите предложение

Ток диода определим по формуле

I = I (е eU/(kT) – 1) = I (е U/ φ т – 1)

где I – обратный ток насыщения.

Для германиевого р-n-перехода

100∙10 –3 = 10 –6 (e 1,602 10 U /(1,38 10 293) –1), откуда U = 288 мВ.

Аналогично, для кремниевого p-n-перехода при I = 10 –8 А U = 407 мВ.

Германиевый диод, имеющий обратный ток насыщения I = 25 мкА, работает при прямом напряжении, равном 0,1 В и Т = 300 К. Определить сопротивление диода постоянному току R и дифференциальное сопротивление гдиф.

Найдем ток диода при прямом напряжении U = 0,l В по формуле (1)

Тогда сопротивление диода постоянному току

R = U/I = 0,1/(1,17 10–3) = 85 Ом.

Вычислим дифференциальное сопротивление, используя формулу

1/гдиф = dI/dU = I(e/kT)е eU / kT = 25∙10 –6 38,6 48 = 46∙10 –3 См.

Откуда гдиф = 1/(46∙10 –3 ) = 21,6 Ом.

Приближенно с учетом того, что I >> I,

1/гдиф = dI/dU = (e/kT)(I + I) ≈ I(e/kT)

Откуда гдиф ≈ kT/eI = φт/I = (1,38∙10 –23 ∙300)/1,602∙10 –19 ∙1,17∙10 –3 ) = 22 Ом.

В идеальном р-n-переходе обратный ток насыщения I = 10 –14 А при Т= 300 К и I = 10 –9 А при Т = 125 °С.

Определить напряжения на p-n-переходе в обоих случаях, если прямой ток равен 1 мА.

Из уравнения (1) имеем I/I = е eU /( kT ) .

Логарифмируя и решая это уравнение относительно U получаем

При Т = 300 К U = 0,026 ln(10 –3 /10 –14 + 1) = 0,026∙25,3 = 0,66 В.

При T = 125°С U = 0,036 ln(10 –3 /10 –9 + 1) = 0,5 B.

Такая температурная зависимость характерна для кремниевых диодов.

Определить, во сколько раз увеличивается обратный ток насыщения р-n-перехода, если температура увеличивается: а) от 20 до 80°С длягерманиевого диода; б) от 20 до 150°С для кремниевого диода.

Зависимость обратного тока насыщения от температуры:

I = k∙T m e Ugo/( φ T)

где k — постоянная; Еgo = e∙Ugo – ширина запрещенной зоны при T = 0 К; (φт = kT/e – температурный потенциал).

Известно, что для германия m = 1, η = 2, Ugo = 0,785 В; для кремния

m = 2, η = l,5, Ugo = 1,21 В.

Следовательно, для германия обратный ток насыщения

I = kT 2 e –0,785/(φт) . При Т = 80 0 С, или Т = 353 К, имеем

φт = 353/11600 = 0,0304 В.

I0(Т = 80 о С) = k∙(353) 2 e –0,785/0,0304 . При T = 20°С, или T = 293 К,

φт = 293/11600 = 0,0253 В.

Тогда I0(Т =20 о С) = k(293) 2 e –0,785/0,0253 .

(I0(Т =20 о С) )/(I0(Т =20 о С) ) = (k(353) 2 e –0,785/0,0304 )/( k(293) 2 e –0,785/0,0253 ) = 263.

Для кремниевого диода I = kT 1,5 e –1,21/( 2φ T ) .

При Т = 150°С, или Т = 423 К, температурный потенциал
φт = 423/11600 = 0,0364 В;

Тогда I0(Т = 150 о С) = k(423) 1,5 e –1,21/2 0,0364 .

Tак как при температуре Т = 20 °С, или Т = 293 К, φт = 0,025 В, то

I0(Т =20 о С) = k(293) 1,5 e –1,21/(2 0,0253) .

Отношение токов (I0(Т = 150 о С) )/(I0(Т =20 о С) ) = 2568.

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет

Источник

Зависимость параметров и характеристик p-n-перехода от температуры

Рассмотрим обратный ток насыщения р-n-перехода с тонкой базой:

. (1.85)

От температуры зависят коэффициенты диффузии Dn и Dp , концентрации легирующих примесей Nd(nno), Na(ppo)и собственная концентрация носителей заряда, которая экспоненциально зависит от температуры. Квадрат этой концентрации

(1.86)

где В = 1,5×10 33 К -3 см -6 для кремния.

Из всех электрофизических параметров, входящих в формулу (1.85), наиболее сильную зависимость от температуры имеет собственная концентрация носителей заряда ni. Зависимость ni(Т) в основном определяется наличием Т в показателе экспоненты. Поэтому с большой степенью точности можно представить температурную зависимость тока Is в следующем виде:

(1.87)

где — ток насыщения при температуре, стремящейся к бесконечности.

Величину можно считать постоянной. Формула (1.87) неудобна для практических расчетов. Приведем ее к иному виду. Для заданной температуры Т можно записать Is(T):

(1.88)

Разделив почленно (1.87)на(1.88), можно записать:

.

(1.89)

где ; коэффициент .

Перейдя от основания eк основанию 2, перепишем формулу (1.89) в удобном для расчетов виде:

,где температура удвоения тока насыщения (для кремния К.

В обратном токе кремниевого р-n-перехода ток генерации значительно преобладает над током насыщения (приблизительно, ). Ток генерации пропорционален концентрации собственных носителей заряда в первой степени (а не в квадрате,как для тока насыщения).

Следовательно,

и температура удвоения для кремния в этом случае

.

Прямой ток с изменением температуры изменяется в соответствии с выражением

. (1.90)

Ток при заданном прямом напряжении увеличивается с возрастанием температуры, но скорость его нарастания снижается при увеличении U.

При фиксированном прямом токе с ростом температуры напряжение на ОПЗ р-n-перехода уменьшается. Логарифмируя обе части выражения(1.90), получим

(1.91)

Температурный коэффициент прямого напряжения на ОПЗ p-n-перехода при заданном прямом токе через диод

отрицателен и зависит от прямого тока, но слабо, так как всегда I

При высоком уровне инжекции нужно учитывать величину напряжения, падающегона сопротивление базы, т.е. URБ. В диапазоне рабочих температур концентрация основных носителей в базе примерно постоянна и равна концентрации легирующей примеси. Поэтому сопротивление базы

с ростом температуры увеличивается, так как подвижность μn(T) сростом температуры падает. При увеличении сопротивления базы возрастает падение напряжения URБ. Поэтому результирующий коэффициент напряжения на диоде TKU определяется значением прямого тока: при малых токах TKU 0.

Читайте также:  Электрический ток источники электрического тока кратковременная контрольная работа

Контактная разность потенциалов р-n-перехода ψк с ростом температуры уменьшается. Это связано с тем, что при увеличении Т уровень Ферми как в р-, так и в n-областях стремится к середине запрещенной зоны. Уменьшение ψк с ростом температуры определяет некоторое уменьшение ширины ОПЗ и увеличение барьерной емкости p-n-перехода.

Длительность переходных процессов (а значит, и частотные свойства) определяется временем жизни неосновных носителей в базе, которое достаточно сильно зависит от температуры (рис.1.17).

С ростом температуры уровень Ферми ЕF смещается к середине запрещенной зоны. Вероятность заполнения рекомбинационных ловушек, находящихся на энергетическом уровне Et, больше 50 %, если этот уровень находится ниже уровня Ферми, и меньше 50 % — если выше. Дырки, инжектированные в n-базу, при достаточно низких температурах (энергетический уровень ловушек Et находится ниже уровня Ферми ЕF) рекомбинируют с электронами, находящимися на энергетическом уровне Еt. Процесс рекомбинации через ловушечные уровни проходит в два этапа: первый этап — электрон, находясь в ловушке и стремясь к минимуму энергии, попадает на инжектированную в базу дырку, которая в данный момент оказалась под этой ловушкой (рис.1.17, а, 1), второй этап — электрон из зоны проводимости займет освободившуюся ловушку (рис.1.17, а, 2). Оба этапа проходят быстро, и время tp мало.

Рисунок 1.17– Схематическое представление влияния температуры на время жизнинеосновных носителей в n-базе p-n-перехода: а – изменение условий для актов рекомбинации в базе при увеличении температуры; б – зависимость от 1/T; Е – энергетический уровень ловушек

При увеличении температуры растет вероятность того, что ловушка, под которой в данный момент оказалась инжектированная дырка, пуста и акт рекомбинации произойти не может. В этом случае последовательность этапов процесса рекомбинации меняется местами: первый этап — электрон занимает уровень ловушки (см. рис.1.17, а, 1), второй — электрон «падает» на инжектированную в базу дырку, если она в этот момент оказалась под уровнем ловушки. Процесс рекомбинации затрудняется, так как электрон очень короткое время находится на ловушечном уровне, и время жизни дырок tp растет (рис.1.17, б). Таким образом, с ростом температуры длительность переходных процессов в p-n-переходе увеличивается, частотные свойства ухудшаются.

Контрольные вопросы

1. Что такое электронно- дырочный переход?

2. Почему электронно-дырочный переход является выпрямляющим контактом?

3. Как и почему изменяется высота потенциального баръера p-n-перехода с изменением температуры и типа полупроводникового материала?

4. Какие параметры p-n-перехода изменяются при приложении прямого и обратного напряжения?

5. Что такое «инжекция» и «экстракция»?

6. Чем обеднена ОПЗ?

7. Где и как возникает ток генерации и почему он учитывается при обратном смещении p-n-переходов, изготовленных из широкозонных полупроводниковых материалов?

8. Что такое барьерная емкость и от чего она зависит?

9. Какие составляющие входят в величины прямого и обратного токов p-n-перехода?

10. Как различают p-n-переходы по ширине базы?

11. В чем смысл диффузионной емкости и от чего зависит ее величины?

12. Почему обратный ток кремниевого p-n-перехода увеличивается с ростом величины обратного напряжения вне зависимости от ширины базы?

13. Что такое и от чего зависит время восстановления обратного сопротивления тока p-n-перехода (диода)?

14. Почему величина напряжения лавинного пробоя больше величины напряжения туннельного пробоя, а величина критической напряженности поля при лавинном пробое меньше чем при туннельном?

15. Чем определяются частотные свойства p-n-перехода?

16. В чем отличие работы p-n при малом и высоком уровнях инжекции?

17. Как изменяются частотные свойства p-n- перехода при увеличении температуры?

ГЛАВА 2. КОНТАКТЫ МЕТАЛЛ – ПОЛУПРОВОДНИК

Большинство электронных приборов, из которых состоит ИС, соединяется друг с другом с помощью контактов металл – полупроводник. Эти контакты на практике получили наибольшее распространение прежде всего из-за того, что благодаря различным электрофизическим свойствам металла и полупроводника (диэлектрическая проницаемость, ширина запрещенной зоны, работа выхода) контакт между ними может быть в отличие от p-n-перехода как выпрямляющим, так и невыпрямляющим.

Дата добавления: 2014-11-13 ; просмотров: 73 ; Нарушение авторских прав

Источник



Влияние температуры на ВАХ p-n-перехода

Вольтамперные характеристики p-n-перехода для двух значений температуры окружающей среды приведены на рис. 2.6. С ростом температуры падает прямое напряжение на p-n-переходе при заданном токе и растет обратный ток при заданном напряжении.

Прямой ток p-n-перехода определяется ПОНЗ, ко торый зависит от величины потенциального барьера в p-n-переходе. Увеличение температуры приводит к уменьшению потенциального барьера, а следовательно, к увеличению прямого тока.

Обратный ток p-n-перехода определяется ПННЗ. Увеличение температуры приводит к увеличению скорости тепловой генерации, концентрация неосновных носителей заряда в полупроводнике растет, а следовательно, растет обратный ток.

Для количественной оценки влияния температуры на ВАХ p-n-перехода используют два параметра.

Температурный коэффициент напряжения (ТКН) показывает, на сколько изменится прямое напряжение на p-n-переходе (DU) при заданном изменении температуры DТ при постоянном токе через p-n-переход:

.

Для германиевых p-n-переходов ТКН » -2 мВ/град, для кремниевых p-n-пе-реходов ТКН » -3 мВ/град.

Температура удвоения обратного тока p-n перехода Т * позволяет рассчитать обратный ток iОБР + DТ) при возрастании температуры на DТ по известному значению обратного тока при заданной температуре Т.

Для германиевых p-n-переходов обратный ток удваивается на каждые 10°C (Т* = 10°C) , для кремниевых — Т* = 8°C.

Источник