Меню

Кт825 в регуляторе тока

Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)

Кремниевый составной транзистор КТ825 (p-n-p)

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: золото 10.0332 грамм, серебро 48.0028 грамм. Содержание цветных металлов медь — 3.8 грамм в одном транзисторе.

Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.

Основные технические характеристики транзисторов КТ825:

Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт
при T = 25°C
IК, max, А IК и, max, А UКЭ0 гр, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт при TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКБ IЭ, А UКЭ нас, В IКБ0, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ825Г 20 30 70 5 125 25 150 100 750 10 10 2 4 600 600 1 4,5 1
КТ825Д 20 30 45 5 125 25 150 100 750 10 10 2 4 600 600 1 4,5 1
КТ825Е 20 30 25 5 125 25 150 100 750 10 10 2 4 600 600 1 4,5 1
2Т825А 20 40 80 5 160 25 175 125 500. 18000 10 10 2 4 600 600 1 4,5 1,2
2Т825Б 20 40 60 5 160 25 175 125 750. 18000 10 10 2 4 600 600 1 4,5 1,2
2Т825В 20 40 45 5 160 25 175 125 750. 18000 10 10 2 4 600 600 1 4,5 1,2
2Т825А2 15 40 80 100 5 30 25 150 100 500. 18000 10 10 2 4 250 400 4,17
2Т825Б2 15 40 60 80 5 30 25 150 100 750. 18000 10 10 2 4 250 400 4,17
2Т825В2 15 40 45 60 5 30 25 150 100 750. 18000 10 10 2 4 250 400 4,17

КТ825 эквивалентная схема составного танзистора:

Источник

Транзистор кт825

КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — транзисторы p-n-p, составные, большой мощности, средней частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе КТ-9, предназначенные для работы в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Транзистор кт825

Аналог КТ825

  • Полного аналога нет, в некоторых случаях можно заменить на TIP147, 2N6052, MJ11013, MJ11015.

Особенности

  • Максимально допустимая температура корпуса — 100°C

КТ825 характеристики:

Предельные параметры КТ825

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):

  • КТ825Г, Д, Е — 20 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):

  • КТ825Г, Д, Е — 30 А

Граничное напряжение (UKЭ0 гр):

  • КТ825Г — 70 В
  • КТ825Д — 45 В
  • КТ825Е — 25 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):

  • КТ825Г, Д, Е — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:

  • КТ825Г, Д, Е — 125 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Тп max):

  • КТ825Г, Д, Е — 150° C

Значения параметров КТ825 при Тперехода=25 o С

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 10 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 10 А:

  • КТ825Г, Д, Е — 750

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ825Г, Д, Е — 2 В

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ825Г, Д, Е — 4 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ825Г, Д, Е — 600 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

  • КТ825Г, Д, Е — 600 пф

Время включения биполярного транзистора (tвкл)

  • КТ825Г, Д, Е — 1 мкс
Читайте также:  Изменение силы тока от температуры

Время выключения биполярного транзистора (tвыкл)

  • КТ825Г, Д, Е — 4,5 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

  • КТ825Г, Д, Е — 1° С/Вт

Источник

Кт825 в регуляторе тока

Азбука Морзе

Справочное пособие по высокочастотной схемотехнике: Схемы, блоки, 50-омная техника.

Радиолюбительская карта мира. HAM Radio World Map. Скачать.

Ферриты. Электрические параметры . Скачать.

GSM сигнализацию для гаража

фильтры кврцевые

IC-756

Зарядное устройство для автомобильных аккумуляторов. КТ825А.

Зарядное устройство для автомобильных аккумуляторов может использоваться как лабораторный блок питания с регулируемым ограничением выходного тока.

Зарядное устройство для автомобильных аккумуляторов собрано по схеме ключевого стабилизатора тока с узлом контроля достигнутого напряжения на аккумуляторе для обеспечения его отключения по окончании зарядки. Для управления ключевым транзистором КТ825А используется широко распространённая специализированная микросхема TL494 (KIA494, KA7500B, К1114УЕ4). Зарядное устройство для автомобильных аккумуляторов обеспечивает регулировку тока заряда в пределах 1 . 6 А (10А max) и выходного напряжения 2 . 20 В.

Ключевой транзистор КТ825А. VT1, диод VD5 и силовые диоды VD1 — VD4 через слюдяные прокладки необходимо установить на общий радиатор площадью 200 . 400 см2. Наиболее важным элементом в схеме зарядного устройства является дроссель L1. От качества его изготовления зависит КПД схемы. В качестве сердечника можно использовать импульсный трансформатор от блока питания телевизоров 3УСЦТ или аналогичный. Очень важно, чтобы магнитопровод имел щелевой зазор примерно 0,2 . 1,0 мм для предотвращения насыщения при больших токах. Количество витков зависит от конкретного магнитопровода и может быть в пределах 15 . 100 витков провода ПЭВ-2 2,0 мм. Если количество витков избыточно, то при работе схемы ЗУ в режиме номинальной нагрузки будет слышен негромкий свистящий звук. Как правило, свистящий звук бывает только при средних токах, а при большой нагрузке индуктивность дросселя за счёт подмагничивания сердечника падает и свист прекращается. Если свистящий звук прекращается при небольших токах и при дальнейшем увеличении тока нагрузки резко начинает греться выходной транзистор, значит площадь сердечника магнитопровода недостаточна для работы на выбранной частоте генерации — необходимо увеличить частоту работы микросхемы подбором резистора R4 или конденсатора C3 или установить дроссель большего типоразмера. При отсутствии силового транзистора структуры p-n-p в схеме можно использовать мощные транзисторы структуры n-p-n, как показано на рисунке.

В качестве диода VD5 перед дросселем L1 можно использовать любые доступные диоды с барьером Шоттки, рассчитанными на ток не менее 10А и напряжение 50В. Для выпрямителя можно использовать любые мощные диоды на ток 10А или диодный мост, например KBPC3506, MP3508 или подобные. Сопротивление шунта в схеме ЗУ желательно подогнать под требуемое. Диапазон регулировки выходного тока зарядного устройства зависит от соотношения сопротивлений резисторов в цепи вывода 15 микросхемы. В нижнем по схеме положении движка переменного резистора регулировки тока напряжение на выводе 15 микросхемы должно совпадать с напряжением на шунте при протекании через него максимального тока. Переменный резистор регулировки тока R3 можно установить с любым номинальным сопротивлением, но но потребуется подобрать смежный с ним постоянный резистор R2 для получения необходимого напряжения на выводе 15 микросхемы. Переменный резистор регулировки выходного напряжения R9 также может иметь большой разброс номинального сопротивления 2 . 100 кОм. Подбором сопротивления резистора R10 устанавливают верхнюю границу выходного напряжения зарядного устройства для автомобильных аккумуляторов. Нижняя граница определяется соотношением сопротивлений резисторов R6 и R7, но её нежелательно устанавливать меньше 1 В.

Микросхема установлена на небольшой печатной плате 45 х 40 мм, остальные элементы схемы ЗУ установлены на основание устройства и радиатор. Монтажная схема подключения печатной платы приведена на рисунке справа. В схеме использовался перемотанный силовой трансформатор ТС180, но в зависимости от величины требуемых выходных напряжений и тока мощность трансформатора можно изменить. Если достаточно выходного напряжения 15 В и тока 6А, то достаточно силового трансформатора мощностью 100 Вт. Площадь радиатора также можно уменьшить до 100 .. 200 см2.

Читайте также:  Переменный ток генератор переменного тока формулы

При исправных элементах схема начинает работать сразу и требует только подстройки.

Источник

Транзисторы серии КТ825, 2Т825

По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.

  1. Цоколевка
  2. Технические характеристики
  3. Электрические параметры
  4. Комплементарная пара
  5. Аналоги
  6. Меры безопасности
  7. Содержание драгметаллов
  8. Производители

Цоколевка

КТ825 распиновка

Распиновка у серии КТ825 (он же 2Т825) представлена на рисунке. В первую очередь она зависит от корпусного исполнения устройства. В настоящее время этот транзистор производятся в двух типах корпусов: металлическом со стеклянными изоляторами КТ-9 (ГОСТ 18472-88) и пластиковом ТО-220.

Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.

Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.

Технические характеристики

Разброс величин предельно допустимых режимов эксплуатации у КТ825 достаточно широк. Например, максимальное напряжение между выводами К и Э находится в диапазоне от 30 до 100 В. Также эта серия, вместе с большими коэффициентами усиления, славится высокой мощностью и пропускаемым током. Рассмотрим значения этих параметров подробнее:

  • предельное напряжение К-Э от 30 до 100 В;
  • постоянное напряжение Б-Э до 5 В;
  • коллекторный ток: постоянный от 15 до 30 А; импульсный от 30 до 40 А;
  • рассеиваемая мощность на коллекторе: от 30 до 125 Вт (с радиатором); от 1 до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла до 40 Вт;
  • температура: p-n-перехода от +150 до +175 °С; окружающей среды от -60 до +100 °C.

Для КТ825 в пластиковом корпусе, при ТК от +25 до + 100 °C, максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0.25 Вт/°С с теплоотводом и на 8 мВт/°С без него.

Электрические параметры

Электрические параметры КТ825

Электрические параметры транзистора из серии кт825 представлены в таблице. Обратите внимание, что все данные представлены с учетом температуры окружающей среды не более + 25 °C. Стоит заметить, что H21э в схеме с общим эмиттером имеет наибольшее значение при нагреве корпуса близком к максимальному значению (ТК ≈ макс.).

Комплементарная пара

Комплементарной парой, для рассматриваемой серии, является отечественный составной транзистор с n-p-n-структурой — КТ827.

Аналоги

Найти полноценный аналог для КТ825 достаточно проблематично. Все зависит от схемы и назначения конкретного транзистора в ней. Чаще всего на интернет-форумах рекомендуют в качестве замены TIP142, TIP147 от Texas Instruments в более современном корпусе TO-247. Также, в качестве замены, можно рассмотреть следующие зарубежные транзисторы: MJ11015, 2N6052G. Иногда, не найдя подходящего среди указанных, некоторые радиолюбители прибегают к несложной схеме с КТ818 и КТ814. Она представлена в следующем видеоролике на эту тему.

Читайте также:  Что произошло с нагрузкой трансформатора если ток первичной обмотки уменьшился ответ

Меры безопасности

Пайка выводов возможна на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса, при температуре припоя не более +260 °C. При этом время лужения контактов не должно превышать 2 сек. В случае подключения устройства в цепь под напряжением, необходимо вывод базы подключать в первую очередь, а отключать в последнюю.

Допустимое значение статического потенциала до 1000 В. Для устройств в пластмассовом ТО-220 допускается только одноразовый изгиб выводов на угол не более 90 o и не ближе 5 мм от корпуса, с радиусом изгиба до 1.5 мм.

Содержание драгметаллов

В соответствии с данными справочника «Опознавательно-информационная система классификации лома электронных изделий», ИПК «Платина», 1999 г., г. Красноярск, в транзисторах серии КТ825 содержание драгметаллов следующие: до 0.01 гр. золота, 0.095 гр. серебра.

Производители

В настоящее время выпуском и модернизацией серии КТ825 занимается только одно российское предприятие. Это известная отечественная компания АО «Кремний» г. Брянск. Скачать техническое описание на изделие от указанного производителя, можно по этой ссылке.

Источник



Простой источник резервного питания на основе транзисторе КТ825

Электрическая схема, представленная ниже, удобна в применении на даче и там, где электроэнергия пока еще поступает нестабильно. Простое устройство, собранное по рекомендуемой схеме, обеспечит автоматическое включение резервного освещения (или другой активной нагрузки мощностью до 10— 12 Вт) при пропадании сетевого напряжения 220 В.

Простой источник резервного питания на основе транзисторе КТ825

Транзистор VT1 серии КТ825 (можно заменить указанный на схеме на транзистор КТ825 с буквенными индексами Д и Е) обеспечивает максимальную нагрузку до 25 Вт. Он должен быть установлен на радиатор с площадью охлаждения не менее 100 см2. Если планируется менее мощная нагрузка (до 5 Вт), то возможно применить в схеме управляющий транзистор типа КТ818АМ— КТ818ГМ.

В качестве резервного источника питания используется автомобильный аккумулятор емкостью 55—190А/ч. В качестве ламп резервного освещения используются автомобильные лампы накаливания.

Сетевой блок питания (БП) вырабатывает пониженное выпрямленное напряжение 13—14 В. В БП входят понижающий трансформатор и выпрямительный мост. Пульсации этого источника питания сглаживаются электролитическим конденсатором большой емкости С1. Напряжение с блока питания через диоды VD1, VD2 и ограничивающий резистор R1 беспрепятственно поступает к подключенному аккумулятору и заряжает его слабым током. При величине зарядного тока 80— 110 мА автомобильная АКБ может находиться без вреда под зарядкой продолжительное время, примерно до десяти суток подряд. Падение напряжения на диоде VD2 создает обратное смещение для перехода база-эмиттер транзистора VT1. Транзистор находится в закрытом состоянии и нагрузка (EL1, EL2) обесточена. Переключатель S1 служит для принудительного включения аварийного режима. Это может понадобиться для разрядки АКБ или проверки системы резервного освещения (целостности ламп). Устройство в налаживании не нуждается.

Когда сетевая энергия отключается, стационарный источник питания обесточивается, и в цепь базы транзистора VT1 поступает ток через резистор R2, транзистор открывается и нагрузка питается от АКБ. Как только поступление энергии в сети возобновляется, транзистор VT1 закрывается, нагрузка выключаются, и аккумулятор заряжается по рассмотренной схеме.

Резистор R1 марки МЛТ-2, резистор R2— типа МЛТ-0,5. Аккумулятор и лампы нагрузки подключаются к устройству многожильными изолированными сетевыми проводами сечением не менее 1 мм и с минимальной длиной (для уменьшения потерь энергии в проводах). Конденсатор С1 марки К50-24, К50-ЗБ или другой на напряжение не менее 25 В.

Оптимальный вариант для понижающего трансформатора сетевого источника питания — универсальный силовой трансформатор ТПП 127/220-50-12.

Литература: Андрей Кашкаров — Электронные самоделки

Источник